碳化硅炉管，半导体FAB专用，纯度高，SIC纯度＞99.96%，杂质少，不污染晶圆，0挥发，不掉渣，不变形，不开裂。
扩散炉、氧化炉、LPCVD化学气相沉积、HVPE晶体生长、真空炉及半导体废气处理等。致力于为半导体集成IC电路分立器件、MEMS、太阳能电池、半导体照明LED及磁性材料厂家提供先进的专用设备，工艺涵盖化合物半导体晶体生长（及提纯、合成等）、外延、薄膜淀积（氮化硅、氧化硅、多晶硅等）、氧化扩散（包括退火合金含工艺及快速退火工艺等）、真空烧结等工艺。
式扩散炉等热处理设备的高质量加热炉体热场，满足4-18寸晶圆及电池片制造工艺，独有的自动化制作工艺技术，专业的生产制造理念，造就加热炉所具有更宽的工艺温度范围及更高的恒温区精度、稳定性，以及更长的使用寿命。
主要用于：4-6英寸硅片LTO=二氧化硅、SIPOS=含氧多晶硅、SI3N4=氮化硅、PSG=磷硅玻璃、POLY=多晶硅薄膜的生长。它是将原材料气体（或者液态源气化）用热能激活发生化学反应而在基片表面生成固体薄膜。低压化学气相淀积是在低压下进行的，由于气压低，气体分子平均自由程大,使生长的薄膜均匀性好,而且基片可以竖放而装片量大，特别适用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的工业化生产专用设备。
自动推拉,采用Sic浆、碳化硅桨，碳化硅浆，SIC桨推拉舟
碳化硅炉管，半导体FAB专用，纯度高晶圆的扩散是一道非常重要的工序，一般在扩散炉内完成，具体的工艺流程如下：
向扩散炉内注入足量的氮气或氧气，使扩散炉的内部一直处于正压状态。
按照既定的温度工艺曲线，采用电加热的方法使扩散炉内的温度升高到特定的温度值，此时注意保持炉内处于恒温的状态。
在推拉舟的托盘上，有相关操作人员事先放置的需要扩散的晶圆，通过推拉装置将其送入到扩散炉内。再向扩散炉内注入足够的氮气或氧气，保证扩散炉内部处于正压状态。
按照既定的温度工艺曲线，升高扩散炉内的温度直到特定的温度值，此时同样要保证扩散炉内部处于恒温的状态。
在保持扩散炉内部处于特定恒温状态的前提下，将各种所要掺杂的气体注入到扩散炉内。
保持扩散炉内部温度恒定，扩散一定的时间之后，按照既定的温度曲线对扩散炉内部进行降温处理。
在整个掺杂的过程中，要保证扩散炉炉体内部处于一个特定的恒温区，才能使晶圆得到充分而均匀的扩散。可见温度控制是扩散工艺中非常重要的一个环节，温度控制的效果直接决定了半导体扩散的质量。传统的扩散系统采用基于单片机的仪表仪器实现对扩散炉的控制管理，但是由于其温度控制精度、自动运行能力以及生产工艺控制能力较低，导致产品质量不高。目前出现了以PLC为控制核心的控制系统，采用Modbu协议实现模块间的通信，能够实时检测和控制扩散炉的温度和气体流量，对复杂工艺的温度控制效果具有很大的提高，提高了产品的质量和生产效率。
碳化硅炉管，半导体FAB专用，纯度高由于扩散工艺对半导体的质量影响很大，因此在扩散工艺的工艺
流程中，有几个要点需要加以注意：（1）对扩散炉温度工艺曲线的控制。至少分别对扩散炉的9个温度
检查点执行检查、显示和控制操作，及时矫正控制参数。（2）对气体流量进行检测和控制。在扩散过程中要在炉管内一直通
氮气，保证炉内处于正压状态；要实时检测扩散炉内不同气体的流量和比例，保证晶圆的扩散质量。
LPCVD设备介绍
设备主要用于2″~6″硅片淀积Si3N4（氮化硅）、SiO2（氧化硅）、poly-Si（多晶硅）、PSG（磷硅玻璃）薄膜工艺。设备由计算机控制柜、净化工作台、加热炉柜、真空排气系统、气路系统、源瓶柜等组成。主要特点：
1.采用PC总线工业控制系统对温度及工艺过程进行自动控制，可按工艺需要编制工艺程序，完成工艺控制，自动化程度高；
2.反应室压力采用闭环控制，以保证精确控制系统压力；3.气路采用VCR连接，保证系统气密性及安全操作；
4.具有严密的安全保护报警系统功能和故障自珍断、记忆功能。(四)卧式PECVD设备介绍
设备主要用于4″~8″硅片上淀积Si3N4、SiO2、poly-Si薄膜。
转载请注明：http://www.0431gb208.com/sjsbszl/6708.html
