半导体工艺

来源：热处理时间：2025/4/9

半导体工艺：氧化/扩散/退火

氧化/扩散/退火设备是半导体制造环节中的重要热工艺设备。

氧化是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理，在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程。

扩散是指在高温条件下，利用热扩散原理将杂质元素按工艺要求掺入硅衬底中，使其具有特定的浓度分布，从而改变硅材料的电学特性。

退火是指加热离子注入后的硅片，修复离子注入带来的晶格缺陷的过程。

用于氧化/扩散/退火的基本设备有三种：卧式炉、立式炉和快速升温炉（RTP）。根据年Gartner的数据，氧化/扩散/退火设备占晶圆制造（含先进封装）设备的3%左右。

氧化工艺

氧化是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理，在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程。氧化膜的用途广泛，主要有以下几个方面：

（1）保护器件免受划伤和沾污；

（2）表面钝化层；

（3）形成栅极氧化层或者作为存储器单元结构中的介质材料；

（4）掺杂过程中的掩蔽层；

（5）金属导电层之间的介质层等等。